廣芯微電子公司建設項目分為二期進行，計劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級結（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設全部完成投產后，將實現年產折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產3.6萬片第三代半導體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達產后可形成年產240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求，預計達產后可實現年營業收入28.5億元、稅收1.1億元、營業利潤2.8億元，稅收1.1億元，工業增加值7.3億元，新增就業960余人。