季華恒一（佛山）半導體科技公司專注于第三代半導體SiC電力電子器件專用裝備研制和工藝開發，研究方向有： 1. SiC大功率半導體裝備：如長晶、外延、離子注入、高溫氧化、高溫激活設備； 2.泛半導體裝備：PECVD鍍膜、PVD鍍膜、銅互連設備、圖形化設備； 3.第三代半導體SiC材料技術：長晶技術、外延技術、離子注入和高溫氧化、激活技術； 4.新型超高效太陽電池技術：薄膜鈍化技術、新型電池結構、疊層電池材料和器件。科研團隊擁有20多年半導體及泛半導體裝備技術研發經歷，取得了一系列代表國內最高水平、接近國際先進水平的研究成果。在半導體裝備領域掌握多項核心關鍵技術，研究成果獲省部級科技進步一等獎2次，在行業內具有領先地位。現誠邀各界有識之士加盟。