季華恒一（佛山）半導體科技公司專注于第三代半導體SiC電力電子器件專用裝備研制和工藝開發(fā)，研究方向有： 1. SiC大功率半導體裝備：如長晶、外延、離子注入、高溫氧化、高溫激活設備； 2. 泛半導體裝備：PECVD鍍膜、PVD鍍膜、銅互連設備、圖形化設備； 3. 第三代半導體SiC材料技術(shù)：長晶技術(shù)、外延技術(shù)、離子注入和高溫氧化、激活技術(shù)； 4. 新型超高效太陽電池技術(shù)：薄膜鈍化技術(shù)、新型電池結(jié)構(gòu)、疊層電池材料和器件。科研團隊擁有20多年半導體及泛半導體裝備技術(shù)研發(fā)經(jīng)歷，取得了一系列代表國內(nèi)最高水平、接近國際先進水平的研究成果。在半導體裝備領域掌握多項核心關鍵技術(shù)，研究成果獲省部級科技進步一等獎2次，在行業(yè)內(nèi)具有領先地位。現(xiàn)誠邀各界有識之士加盟。