職位描述
芯片器件設計
崗位職責:
1.根據公司產品規劃和業務發展需求，負責SiC Mos和SBD設計，包括芯片結構、電學參數和可靠性設計；
2.負責SiC Mos和SBD芯片開發項目的立項，項目推進和結項；
3.負責與PIE、Fab溝通產品流片需求，與測試和可靠性工程師溝通測試需求；
4.支持產品售前推廣，售后失效分析。
任職要求:
1.學歷專業：碩士及以上學歷，電子、通信、微電子、物理等專業背景；
2.工作經驗：碩士2年以上，本科4年以上相關經驗，有溝槽型功率器件設計經驗優先；
3.知識技能：掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件結構原理，并有較深理解，掌握TCAD和版圖相關工具；基本掌握QC七大手法使用；
4.素質：良好的溝通協調能力和書面表達能力，良好文獻檢索能力，較強的分析和解決問題能力；良好的英語讀、寫能力，CET6及以上。
工作地點
江夏區武漢市東湖新技術開發區(長飛先進半導體)
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職位發布者
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長飛先進半導體(武漢)有限公司長飛先進是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造的企業，具備從外延生長、器件與模塊設計、晶圓制造到模塊封測的全產業鏈能力。公司擁有國內一流的6英寸產線設備和先進的配套系統，可提供從工業級到車規級的SiC SBD、MOSFET全系列產品，廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網等領域。
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