崗位職責
1.針對IGBT和碳化硅MOS等功率器件和模塊，根據(jù)實際應用需求進行定制化可靠性測試方案設(shè)計和測試流程開發(fā)；
2.能夠完成測試方案設(shè)計，測試流程開發(fā)，測試數(shù)據(jù)整理分析，測試報告，測試方法研究報告等相關(guān)文檔撰寫；
3.熟悉AQG-324，AEC-Q101等車規(guī)級可靠性認證標準，能夠獨立完成功率器件和模塊的可靠性測試方案設(shè)計和測試試驗操作（包括靜態(tài)參數(shù)測試，HTRB，HTGB，H3TRB，TST，PCmin，PCsec，C-SAM，瞬態(tài)熱阻等）；
4.熟悉功率器件和模塊的工作原理，針對試驗過程中出現(xiàn)的常見故障和失效進行快速排查和處理，使試驗順利進行；
5.熟悉功率器件和模塊的失效機理，針對試驗過程中出現(xiàn)的器件失效進行失效分析，對試驗數(shù)據(jù)進行整理分析并撰寫測試報告；
6.熟悉IGBT和碳化硅MOS等功率器件和模塊的性能參數(shù)，完成實驗室可靠性相關(guān)設(shè)備日常維護和設(shè)備校驗等工作，聯(lián)系設(shè)備廠商定制老化板和試驗耗材采購，能夠提出配件和耗材的定制需求規(guī)格；
7.帶領(lǐng)實驗員完成IGBT，碳化硅功率模塊的可靠性測試，對試驗過程中每個環(huán)節(jié)的安全操作規(guī)范和操作步驟進行審核，確保試驗過程中的人員安全和試驗過程正確進行。
8.配合完成部門領(lǐng)導安排的其他工作。
崗位要求
1.碩士研究生及以上學歷，985、211學校優(yōu)先，電子、電氣或相關(guān)工科專業(yè)背景；
2.1984年1月1日后出生，具有3年以上功率半導體器件性能與可靠性測試經(jīng)驗，特別優(yōu)秀的可適當放寬條件；
3.學習過半導體器件物理或功率半導體器件物理相關(guān)課程，熟悉二極管，IGBT和碳化硅功率器件和模塊的工作原理；
4.熟悉高壓大功率IGBT和碳化硅MOS性能參數(shù)及可靠性壽命要求，了解功率模塊可靠性測試設(shè)備的基本規(guī)格參數(shù)；
5.較強的動手能力及溝通能力，有責任心、團隊協(xié)作意識及敬業(yè)精神。